携手共进 开拓创新 上海齐聪电子有限公司欢迎您 !
注册  |  登陆

语 言

产品中心

Chips芯片
二极管
三极管&可控硅&晶闸管
碳化硅
MOS-FET
IGBT & IGBT驱动
传感器
光耦&光耦继电器
IC集成电路
电源模块
MCU单片机
数模转换器(DAC)
晶振
电容
电阻
电感
继电器
接插件连接器
变压器
FLASH闪存
当前位置:首页 >> 产品中心 >> Chips芯片 >> 光电达林顿芯片 >> 60V系列

60V系列

PHOTODARLINGTON CHIP FT059

产品类别:60V系列
点击数:81
PHOTODARLINGTON CHIP
FT059
GENERAL DESCRIPTION
The FT059 chip is fabricated using Silicon Bipolar process
technology. This chip is designed to be used in high CTR
optocouplers.
FEATURES
•  High Sensitivity – Darlington Output
•  High Breakdown Voltage 60 V
•  Chip Size – 1.15 x 1.15 mm
•  Chip Thickness – 0.35 mm±0.02mm
•  Top Contact Metal – Aluminium
•  Bottom Contact metal (collector) - CrNi
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
Symbol  Characteristic  Min  Typ  Max  unit
BVceol  Breakdown voltage collector-emitter  60  -  -  V  Ice=1 mA
BVeb  Breakdown voltage emitter-base  6.5  -  -  V  Ieb=50 uA
BVeb  Breakdown voltage emitter-collector  7.0  -  -  V  Iec=50 uA
Ice0  Collector-emitter dark current  -  -  100  nA  Vce=20 V
Vcesat  Collector-emitter saturation voltage  -  -  1.5  V  Ic=1 mA*
h fe  Current transfer ratio  1000  -  -  -  Vce=10V, Ic=1 mA
* IR irradience of chip E = 20 mW/cm 2 . Peak wavelength λ = 850±20 nm.
    请提交您的基本信息,我们将会尽快与您联系!

    *

    *

    *

    *